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'플래시'보다 속도 빠른 저발열 메모리 개발

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2016.12.05

기존 플래시 메모리보다 정보 처리 속도는 빠르고 발열은 낮은 메모리를 국내 연구진이 개발했다. 교육과학기술부는 10일 고려대 전기전자전파공학부 김태근 교수(사진)팀이 기존 ‘전하포획 플래시(CTF)’ 메모리에 차세대 비휘발성 메모리인 ‘Re램 소자’의 장점을 결합한 플래시 융합 메모리 개발에 성공했다고 밝혔다. 김 교수팀은 Re램 소자에 사용되는 ‘저항변환물질’을 CTF 메모리에 넣어 낮은 전압에서도 빠르게 작동하도록 만들었다. 전압이 낮으면 열 발생이 줄어들어 메모리를 초소형으로 제작하기 유리하다. 김 교수는 “이번에 개발한 메모리는 기존 반도체 공정에서도 만들 수 있어 기술을 상용화하기 쉬울 것”이라고 설명했다. 이번 연구는 미국 전기전자학회지 10월호에 게재됐다.

전동혁 동아사이언스 기자 jermes@donga.com

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