공과대학 뉴스
주병권 교수팀, 투명 저항변화메모리 개발 성공
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｜2017.06.22
본교 연구진이 휘어지면서도 투명하고 우수한 전기적 특성을 갖는 저항변화메모리를 구현했다.
고려대 전기전자공학부 주병권 교수, 전자부품연구원 김종웅 박사의 지도 아래,
염승원, 유반석 연구원 등이 Inverted layer 공정 기술을 이용한 은나노와이어 전극을 사용하여 휘어지면서, 투명한 저항변화메모리를 개발에 성공했다고 밝혔다.
염승원, 유반석 연구원이 공동 제1저자로 참여한 이 연구결과는 전자소자 분야의 세계적인 저명 학술지인 ‘사이언티픽 리포츠 (Scientific Reports)’에 게재됐다 (논문명: Silver Nanowire/Colorless-Polyimide Composite Electrode: Application in Flexible and Transparent Resistive Switching Memory). 이번 연구는 BK21플러스사업의 지원을 받아 수행되었다.
기존 은나노와이어 전극은 값 비싸고, 휘어지지 않는 특성을 갖는 인듐 주석 산화물의 대체 투명전극으로써 많은 연구가 되었다. 하지만, 기판과의 부착성, 다른 투명 전극 대비 높은 표면 거칠기, 대면적 공정 가능성 부분에서 해결해야 하는 단점들을 갖고 있었다.
연구팀은 위와 같은 은나노와이어의 단점들을 개선하기 위해서 이번 연구에서 Inverted layer 공정 기술을 사용하여서 투명 폴리이미드 기판 내에 은나노와이어 전극을 삽입하는 기술을 개발하였다. 제작된 전극은 전극 역할뿐 아니라 저항변화메모리 소자의 기판 자체로도 사용되어 기존 저항변화메모리 공정의 복잡성을 줄이고, 대면적 공정을 가능하게 하였다.
연구진은 가시광 영역에서 75%이상의 투과도를 보이며, 소자의 굽힘을 주었을 때도 소자의 우수한 전기적 특성이 변하지 않는 것을 보여주고, 소자 내부에서의 양이온의 움직임을 통해 작동하는 투명, 유연 저항변화메모리의 매커니즘을 밝혔다.
주병권 교수는 ‘이번 연구결과가 미래 투명, 유연 전자소자에서의 새로운 공정 기술을 개발하였으며, 미래 웨어러블 전자 소자의 구현이 가까워질 것으로 기대하고 있다’ 라고 밝혔다.
[그림: 투명, 유연 저항변화메모리
제작 과정]
